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D44H8	文件：153.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNPowerAmplifier Thisdeviceisdesignedforpoweramplifier,regulatorandswitchingcircuitswherespeedisimportant.SourcedfromProcess4Q.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
D44H8	文件：62.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Fastswitchingspeed Applications ■Poweramplifier ■S	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
D44H8	文件：103.1 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ComplementarySiliconPowerTransistors Theseseriesofplastic,siliconNPNandPNPpowertransistorscanbeusedasgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
D44H8	文件：157.08 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,30-80V,50W) 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS30-80VOLTS50WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
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详细参数

型号：
D44H8_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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