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深圳市智连鑫科技有限公司

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D44H11

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STTO-220

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原装现货

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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D44H11

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ST/意法TO-220-3

35000

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:¥0.888

热卖原装现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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D44H11

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FAIRCHILD/仙童TO-220

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24+

明嘉莱只做原装正品现货

无锡固电半导体股份有限公司

4年 留言
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D44H11

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iscTO-220

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2024+

深圳市纳艾斯科技有限公司

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D44H11

STTO-220

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市富利微电子科技有限公司

8年 留言
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D44H11

ST/意法TO-220

33500

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全新进口原装现货,假一罚十

深圳市豪迈兴电子有限公司

12年 留言
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D44H11

ST(意法)TO-220(TO-220-3)

8222

2308+

只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货

深圳市金启宁科技有限公司

10年 留言
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D44H11

ST/意法TO220

50000

21+

只做原装,支持实单!

深圳市中飞芯源科技有限公司

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STTO-220

6000

23+

原装,可配单

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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D44H11

ST/意法TO-220

20401

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市拓亿芯电子有限公司

11年 留言
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ST/意法TO-220

25000

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代理渠道假一罚十

深圳和润天下电子科技有限公司

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D44H11

ST/意法半导体TO-220-3

6002

22+

原装正品现货 可开增值税发票

深圳市外芯人半导体有限公司

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D44H11

STTO-220

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本司只做原装,可配单

深圳市坤融电子科技有限公司

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D44H11

ST/意法TO-220-3

52112

2022+

原厂授权代理 价格绝对优势

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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D44H11

STTO-220

20000

2020+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市芯巴巴科技有限公司

2年 留言
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D44H11

ST(意法半导体)TO-220

10000

22+

只做原装现货 假一赔万

中科国际电子(深圳)有限公司

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D44H11

ST/意法TO-220-3

52112

22+

原厂原装现货

深圳市安博威科技有限公司

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D44H11

STMTO-220-3

200

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原装正品 有挂有货

深圳市讯顺达科技有限公司

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    陈小姐

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    深圳市福田区世纪汇交通银行大厦2701-E

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D44H11

STTO-220

20000

2020+

全新原装公司现货

深圳市创新迹电子有限公司

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    杨小姐

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    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D

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D44H11

ST/意法TO-220

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原装现货,随时欢迎询价

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D44H11TU价格

D44H11TU价格:¥1.5426品牌:Fairchild

生产厂家品牌为Fairchild的D44H11TU多少钱,想知道D44H11TU价格是多少?参考价:¥1.5426。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,D44H11TU批发价格及采购报价,D44H11TU销售排行榜及行情走势,D44H11TU报价。

D44H11资讯

D44H11G

D44H11G原装优势热卖,量大从优!假一赔十!欢迎来电:0755-83220081/15889311978李小姐

D44H11G代理商

功率晶体管 这一系列的塑料,硅NPN和PNP功率晶体管 作为通用的功率放大和开关,例如 阶段的应用,如开关稳压器的输出或驱动程序, 转换器和功率放大器。 特点 •低集电极-发射极饱和电压 的VCE(sat)=1.0V(最大)8.0A •快速开关速度

D44H11中文资料Alldatasheet PDF

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D44H11功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

D44H11E3制造商:CYSTEKEC 制造商全称:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

D44H11FP功能描述:TRANS NPN 80V 10A TO-220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

D44H11G功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

D44H11J3制造商:CYSTEKEC 制造商全称:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

D44H11TU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/80V/8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    D44H11

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A TO220