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D44C12G

丝印:D44C12G;Package:TO-220AB;Complementary Silicon Power Transistor

Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − 0.5 V (Max) • High ft for Good Frequency Response • Low Leakage Current • Pb−Free Packages are Available*

文件:123.5 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

D44C12G

Package:TO-220-3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 4A TO220

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    D44C12

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 4A 80V 30W NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多D44C12供应商 更新时间2026-4-15 16:30:00