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HEF4066BP	文件：88.16 Kbytes Page：8 Pages	Quadruplebilateralswitches DESCRIPTION TheHEF4066Bhasfourindependentbilateralanalogueswitches(transmissiongates).Eachswitchhastwoinput/outputterminals(Y/Z)andanactiveHIGHenableinput(E).WhenEisconnectedtoVDDalowimpedancebidirectionalpathbetweenYandZisestablished(ONcondition).WhenE	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
HEF4066BT	文件：88.16 Kbytes Page：8 Pages	Quadruplebilateralswitches DESCRIPTION TheHEF4066Bhasfourindependentbilateralanalogueswitches(transmissiongates).Eachswitchhastwoinput/outputterminals(Y/Z)andanactiveHIGHenableinput(E).WhenEisconnectedtoVDDalowimpedancebidirectionalpathbetweenYandZisestablished(ONcondition).WhenE	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
HEF4066BT	文件：244.26 Kbytes Page：13 Pages	Quadsingle-polesingle-throwanalogswitch 1.Generaldescription TheHEF4066Bisaquadsinglepole,singlethrowanalogswitch.Eachswitchfeaturestwo input/outputterminals(nYandnZ)andanactiveHIGHenableinput(nE).WhennEisLOW,the analogswitchisturnedoff.Inputsincludeclampdiodes.Thisenablestheuseofcurrent	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
HM4066	文件：1.48835 Mbytes Page：19 Pages	SwitchModeLi-Ion/PolymerBatteryCharger	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IRGP4066D-EPBF	文件：322.41 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4066DPBF	文件：322.41 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4066DPBF	文件：322.41 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4066-EPBF	文件：275.99 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctionTemperature175°C •5μSshortcircuitSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient •TightParameterDistribution •LeadFreePackage Benefits •	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4066PBF	文件：275.99 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4066PBF	文件：275.99 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctionTemperature175°C •5μSshortcircuitSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient •TightParameterDistribution •LeadFreePackage Benefits •	IRF International Rectifier	IRF

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