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D3V3S1U2LP1610数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF
| 厂商型号 |
D3V3S1U2LP1610 |
| 参数属性 | D3V3S1U2LP1610 封装/外壳为0603（1610 公制）；包装为卷带（TR）；类别为电路保护的TVS-二极管；D3V3S1U2LP1610应用范围：汽车级；产品描述：SURGE PROTECTION PP U-DFN1610-2 |
| 功能描述 | 1 CHANNEL HIGH SURGE TVS DIODE |
| 封装外壳 | 0603（1610 公制） |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 原厂标识 | Diodes |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 17:09:00 |
| 人工找货 | D3V3S1U2LP1610价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
D3V3S1U2LP1610规格书详情
描述 Description
This new generation TVS is designed to protect sensitive electronics from the damage due to ESD. The combination of small size and high ESD surge capability makes it ideal for use in portable applications such as cellular phones, digital cameras, and MP3 players.
特性 Features
•Provides ESD Protection per IEC 61000-4-2 Standard: Air ±30kV, Contact ±30kV
One Channel of ESD Protection Low Channel Input Capacitance Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
应用 Application
•Cellular Handsets
•Portable Electronics
•Computers and Peripheral
技术参数
- 制造商编号
：D3V3S1U2LP1610
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Configuration
：Single(uni-directional)
- Channel Input Capacitance CT Typ
：1400 pF
- Reverse Standoff Voltage VRWM
：3.3 V
- Breakdown Voltage VBR Min
：3.8 V
- Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max
：1 µA
- Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20μs Max
：200 A
- Maximum Clamping Voltage @ Max Peak Pulse Current VC
：11.5 V
- VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge
：30 kV
- Packages
：Related ContentQuality Documentation
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
6000 |
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询价 | ||
DIODES INC. |
23+ |
原厂原封 |
9000 |
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DIODES |
23+ |
NA |
7300 |
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DIODES |
24+ |
原装原封 |
25000 |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
DIODES(美台) |
24+ |
UDFN16102 |
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DIODES |
23+ |
NA |
7300 |
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达尔 |
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DIODES |
24+ |
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