D2601N85T中文资料Rectifier Diodes数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
D2601N85T |
| 参数属性 | D2601N85T 封装/外壳为DO-200AE；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 8.5KV 3040A |
| 功能描述 | Rectifier Diodes |
| 封装外壳 | DO-200AE |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-10 10:50:00 |
| 人工找货 | D2601N85T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
D2601N85T规格书详情
特性 Features
优势:
• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机
• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节
简介
D2601N85T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由Infineon制造生产的D2601N85T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：D2601N85T
- 生产厂家
：Infineon
- IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin
：2240/100
- Housing
：Disc dia 120mm height 26mm / Ceramic
- Configuration
：Rectifier Diodes
- VF/IF[V/kA] @Tvj max
：2.6/4.0
- VT0[V] @Tvj max max
：0.94
- rT[mΩ] @Tvj max max
：0.41
- Tvj[°C] max
：160
- RthJC[K/kW] @180° el sin max
：8.55
- Clamping force[kn] min
：36
- Clamping force[kn] max
：52
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INF |
24+ |
6 |
询价 | ||||
Infineon |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
BG-D12026K-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
BG-D12026K-1 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
BG-D12026K-1 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
INFIENON |
23+ |
MODULE |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
