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D1961SH45T数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

D1961SH45T

参数属性

D1961SH45T 封装/外壳为DO-200AE;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 4.5KV 2380A

功能描述

IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes
DIODE GEN PURP 4.5KV 2380A

封装外壳

DO-200AE

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:00:00

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D1961SH45T规格书详情

简介

D1961SH45T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的D1961SH45T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :D1961SH45T

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Tvj[°C] max

    :140

  • Clamping force[kn] min

    :36

  • Clamping force[kn] max

    :52

  • Configuration

    :IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes

  • Housing

    :Disc dia 120mm height 26mm / Ceramic

  • VR(D)[kV] @TC = 25°

    :2.8

  • IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin

    :1830/85

  • VF/IF[V/kA] @Tvj max

    :2.5/2.5

  • RthJC[K/kW] @DC max

    :7.5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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BGD12026K1
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