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D1381S45T中文资料二极管盘数据手册Infineon规格书

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厂商型号

D1381S45T

参数属性

D1381S45T 封装/外壳为DO-200AD;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A

功能描述

二极管盘
DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A

封装外壳

DO-200AD

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-6 10:24:00

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D1381S45T规格书详情

描述 Description

D1381S GTO - 续流二极管盘组装在高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳中,直径为 100 毫米,高度为 26 毫米。

特性 Features

• 高电流
• 高阻断电压
• 提供光触发类型
• 最高坚固性
• 最高可靠性
• 高外壳非断裂电流容量。

简介

D1381S45T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的D1381S45T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :D1381S45T

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IFAVM/TC [A/°C](@180° el sin)

    :1380/85

  • rT [mΩ](@Tvj max) max

    :0.48

  • RthJC [K/kW](@180° el sin) max

    :12.5

  • Tvj [°C]max

    :140

  • VF/IF [V/kA](@Tvj max)

    :2.6/2.5

  • VRRM [V]

    :4500

  • VRRMmax

    :4500 V

  • VT0 [V](@Tvj max) max

    :1.4

  • Clamping force [kn]

    :27 to 35

  • Housing

    :Disc dia 100mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration

    :GTO - Freewheeling Diodes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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