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D1213电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

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厂商型号	D1213
参数属性	D1213 封装/外壳为0402（1006 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电路保护的TVS-二极管；D1213应用范围：汽车级；产品描述：TVS DIODE 3.3VWM 10VC DFN1006-2
功能描述	METAL GATE RF SILICON FET
封装外壳	0402（1006 公制）
文件大小	38.4 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	SEME-LAB
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-11 22:58:00
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D1213规格书详情

GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 6W – 7.2V – 500MHz SINGLE ENDED

FEATURES

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

• LOW Crss

• LOW NOISE

• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM

APPLICATIONS

• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS from 1 MHz to 1 GHz

产品属性

产品编号：
D1213A-01LP-7B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
10V（标准）
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
1A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
汽车级
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0402（1006 公制）
供应商器件封装：
X1-DFN1006-2
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 10VC DFN1006-2

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