首页 >D0212C5MOS(场效应管)>规格书列表
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SiliconCarbideSchottkyDiode Features: Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Noreverserecoverycurrent/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature Tightforwardvoltagedistribution Excellentthermalperformance | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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