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CZRT55C9V1-G分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CZRT55C9V1-G |
| 参数属性 | CZRT55C9V1-G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：DIODE ZENER 9.1V 350MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Surface Mount Zener Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
101.43 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Comchip Technology |
| 企业简称 |
COMCHIP【典琦】 |
| 中文名称 | 典琦科技股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-12 11:06:00 |
| 人工找货 | CZRT55C9V1-G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CZRT55C9V1-G规格书详情
CZRT55C9V1-G属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由典琦科技股份有限公司制造生产的CZRT55C9V1-G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
Voltage: 2.4 ~ 29 Volts
Power: 410 mW
Features:
● Planar Die Constructions
● 500mW Power Dissipation
● Zener Voltages from 2.4V ~ 39V
● Ideally Suited for Automated Assembly Processes
产品属性
更多- 产品编号：
CZRT55C9V1-G
- 制造商：
Comchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 容差：
±6%
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
DIODE ZENER 9.1V 350MW SOT23-3
