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MMWZ5936FL-C	文件：362.99 Kbytes Page：3 Pages	1.5WattsSurfaceMountZenerDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MZ5936B	文件：101.26 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
NA5936-AL	文件：228.41 Kbytes Page：2 Pages	AirCoreInductors	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
PSMA5936B	文件：62.27 Kbytes Page：8 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION DO-214ACsurfacemountablepackagewithglasspassivatedchip.Thewell-definedvoid-freecaseisofatransfer-mouldedthermo-settingplastic. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellentstability •UL94V-Oclassifiedplas	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PSMA5936B	文件：818.696 Kbytes Page：4 Pages	1.5W30VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
PSMA5936B	文件：819.279 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTVOLTAGEREGULATORDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
PSMA5936B	文件：456.79 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODES VOLTAGERANGE:8.5-78VPOWER:400Watts Features ●Glasspassivated ●Highmaximumoperatingtemperature ●Lowleakagecurrent ●Excellentstability ●UL94V-Oclassifiedplasticpackage ●Transientsuppressorstand-offvoltagerange:8.5to78Vfor26typesSuppliedin12mmembossed	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SI5936DU	文件：160.61 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI5936DU	文件：156.93 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI5936DU	文件：194.31 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedPowerPAK®ChipFET® package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance -Thin0.8mmprofile •100Rgtested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Network	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
CZRB5936B-G
功能描述：
稳压二极管 3W VZ=30.0V, 12.5mA
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CZRB5936B-G供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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