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CY7C199C-12VC集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

CY7C199C-12VC

参数属性

CY7C199C-12VC 封装/外壳为28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

功能描述

32K x 8 Static RAM
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

封装外壳

28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)

文件大小

117.13 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

Cypress Cypress Semiconductor

中文名称

赛普拉斯 赛普拉斯半导体公司

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数据手册

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更新时间

2025-12-19 8:41:00

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CY7C199C-12VC规格书详情

CY7C199C-12VC属于集成电路(IC)的存储器。由赛普拉斯半导体公司制造生产的CY7C199C-12VC存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

General Description1

The CY7C199C is a high–performance CMOS Asynchronous SRAM organized as 32K by 8 bits that supports an asynchronous memory interface. The device features an automatic power–down feature that significantly reduces power consumption when deselected.

特性 Features

• Fast access time: 12 ns, 15 ns, 20 ns, and 25 ns

• Wide voltage range: 5.0V ± 10 (4.5V to 5.5V)

• CMOS for optimum speed/power

• TTL–compatible Inputs and Outputs

• Available in 28 DIP, 28 SOJ, and 28 TSOP I.

• 2.0V Data Retention

• Low CMOS standby power

• Automated Power–down when deselected

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CY7C199C-12VC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    28-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CYP
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