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CY7C1911JV18-300BZC中文资料IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
CY7C1911JV18-300BZC |
| 参数属性 | CY7C1911JV18-300BZC 封装/外壳为165-LBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| 功能描述 | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| 封装外壳 | 165-LBGA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 14:55:00 |
| 人工找货 | CY7C1911JV18-300BZC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 制造商编号
：CY7C1911JV18-300BZC
- 生产厂家
：Infineon
- 存储器格式
：SRAM
- 技术
：SRAM - 同步，QDR II
- 存储容量
：18Mb （2M x 9）
- 时钟频率
：300MHz
- 写周期时间 - 字，页
：-
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：1.7V ~ 1.9V
- 工作温度
：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：165-LBGA
- 供应商器件封装
：165-FBGA（13x15）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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