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CY7C185-20VC	文件：197.76 Kbytes Page：11 Pages	8K x 8 Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C185isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas8192wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),andactiveLOWoutputenable(OE)andthree-statedrivers.Thisdevicehasanauto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C185-20VC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	ETC	ETC
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CY7C185-20VI	文件：197.76 Kbytes Page：11 Pages	8Kx8StaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C185isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas8192wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),andactiveLOWoutputenable(OE)andthree-statedrivers.Thisdevicehasanauto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C185-20ZC	文件：197.76 Kbytes Page：11 Pages	8Kx8StaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C185isahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas8192wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWchipenable(CE1),anactiveHIGHchipenable(CE2),andactiveLOWoutputenable(OE)andthree-statedrivers.Thisdevicehasanauto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C185-20VC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

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