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CY7C15632KV18中文资料72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
CY7C15632KV18 |
参数属性 | CY7C15632KV18 封装/外壳为165-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
功能描述 | 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
封装外壳 | 165-LBGA |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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技术参数
- 产品编号:
CY7C15632KV18-400BZXC
- 制造商:
Cypress Semiconductor Corp
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 同步,QDR II+
- 存储容量:
72Mb(4M x 18)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
165-LBGA
- 供应商器件封装:
165-FBGA(13x15)
- 描述:
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Cypress(赛普拉斯) |
24+ |
NA/ |
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