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CY7C1463AV25

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

文件:459.7 Kbytes 页数:29 Pages

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CY7C1463AV25-100AXC

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-100AXI

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-100BZC

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-100BZI

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-100BZXC

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-100BZXI

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-133AXC

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-133AXI

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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CY7C1463AV25-133BZC

36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture

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详细参数

  • 型号:

    CY7C1463AV25

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 2Mx18 2.5V NoBL FT 静态随机存取存储器 COM

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

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更多CY7C1463AV25供应商 更新时间2026-2-2 15:38:00