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CY7C1415BV18-300BZXC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture

文件:705.66 Kbytes 页数:30 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1415BV18-300BZXC

36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

文件:732.28 Kbytes 页数:30 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1415BV18-300BZXI

36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

文件:732.28 Kbytes 页数:30 Pages

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CY7C1415BV18-300BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture

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CY7C1415BV18-167BZI

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

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CY7C1415BV18-200BZC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CYPRESSCypress Semiconductor

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CY7C1415BV18-200BZXC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

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详细参数

  • 型号:

    CY7C1415BV18

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

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更多CY7C1415BV18供应商 更新时间2026-2-4 15:14:00