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CY7C1399B-12ZC	文件：151.87 Kbytes Page：10 Pages	32K x 8 3.3V Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C1399Bisahigh-performance3.3VCMOSStaticRAMorganizedas32,768wordsby8bits. Features •Single3.3Vpowersupply •Idealforlow-voltagecachememoryapplications •Highspeed —10/12/15ns •Lowactivepower —216mW(max.) •Low-power	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1399B-12ZI	文件：151.87 Kbytes Page：10 Pages	32K x 8 3.3V Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C1399Bisahigh-performance3.3VCMOSStaticRAMorganizedas32,768wordsby8bits. Features •Single3.3Vpowersupply •Idealforlow-voltagecachememoryapplications •Highspeed —10/12/15ns •Lowactivepower —216mW(max.) •Low-power	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1399B-12ZC	文件：185.2 Kbytes Page：10 Pages	256K(32K x 8) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1399B-12ZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY7C1399B-12ZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY7C1399B-12ZXCT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY7C1399B-12VC	文件：151.87 Kbytes Page：10 Pages	32Kx83.3VStaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C1399Bisahigh-performance3.3VCMOSStaticRAMorganizedas32,768wordsby8bits. Features •Single3.3Vpowersupply •Idealforlow-voltagecachememoryapplications •Highspeed —10/12/15ns •Lowactivepower —216mW(max.) •Low-power	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1399B-12VC	文件：185.2 Kbytes Page：10 Pages	256K(32Kx8)StaticRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1399B-12VI	文件：151.87 Kbytes Page：10 Pages	32Kx83.3VStaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C1399Bisahigh-performance3.3VCMOSStaticRAMorganizedas32,768wordsby8bits. Features •Single3.3Vpowersupply •Idealforlow-voltagecachememoryapplications •Highspeed —10/12/15ns •Lowactivepower —216mW(max.) •Low-power	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1399B-12VXC	文件：185.2 Kbytes Page：10 Pages	256K(32Kx8)StaticRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1399B-12VXI	文件：185.2 Kbytes Page：10 Pages	256K(32Kx8)StaticRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C1399B-12ZC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）
供应商器件封装：
28-TSOP I
描述：
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I

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