128K x 36 Synchronous-Pipelined Cache SRAM

Functional Description This Cypress Synchronous Burst SRAM employs high-speed, low-power CMOS designs using advanced triple-layer polysilicon, double-layer metal technology. Each memory cell consists of four transistors and two high-valued resistors. The CY7C1347D SRAM integrate 131,072 x 36 SRA

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CYPRESS/赛普拉斯
QFP

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CYPRESS(赛普拉斯)
TQFP-100(14x20)

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CY
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