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CY7C1314BV18-200BZC中文资料IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
CY7C1314BV18-200BZC |
参数属性 | CY7C1314BV18-200BZC 封装/外壳为165-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
功能描述 | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
封装外壳 | 165-LBGA |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-17 23:01:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:CY7C1314BV18-200BZC
- 生产厂家
:Infineon
- 存储器格式
:SRAM
- 技术
:SRAM - 同步,QDR II
- 存储容量
:18Mb (512K x 36)
- 时钟频率
:200MHz
- 写周期时间 - 字,页
:-
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度
:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:165-LBGA
- 供应商器件封装
:165-FBGA(13x15)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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