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CY7C1308DV25C	文件：675.43 Kbytes Page：18 Pages	9 Mbit DDR I SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：675.43 Kbytes 页数：18 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1308DV25C-167BZC	文件：675.43 Kbytes Page：18 Pages	9 Mbit DDR I SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：675.43 Kbytes 页数：18 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1308DV25C-200BZC	文件：675.43 Kbytes Page：18 Pages	9 Mbit DDR I SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：675.43 Kbytes 页数：18 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
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CY7C1308DV25C	文件：300 bytes Page：1 Pages	9 Mbit DDR I SRAM 4-Word Burst Architecture	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
CY7C1308DV25C
功能描述：
静态随机存取存储器 256Kx36 2.5V DDR 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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