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CY7C129集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

CY7C129
厂商型号

CY7C129

参数属性

CY7C129 封装/外壳为165-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA

功能描述

RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata

封装外壳

165-LBGA

文件大小

243.48 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 CypressSemiconductor
企业简称

CYPRESS赛普拉斯

中文名称

赛普拉斯半导体公司官网

原厂标识
CYPRESS
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:20:00

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CY7C129规格书详情

RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata

This document describes the DOFF issue for QDRII/DDRII and the Output Buffer and JTAG issues for QDRI/DDRI/QDRII/DDRII. Details include trigger conditions, possible workarounds and silicon revision applicability. This document should be used to compare to the respective datasheet for the devices to fully describe the device functionality.

Please contact your local Cypress Sales Representative for availability of the fixed devices and any other questions.

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1294DV18-167BZC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA

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