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CY7C109BNL-15VC	文件：455.1 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109BN/CY7C1009BNisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109BNL-15VC	文件：444.04 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109BNL-15VC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

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CY7C109BNL-15VC

文件：455.1 Kbytes

Page：9 Pages

128K x 8 Static RAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109BN/CY7C1009BNisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writi

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Cypress

CY7C109BNL-15VC

文件：100 bytes

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Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
CY7C109BNL-15VC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CY7C109BNL-15VC供应商更新时间2025-6-1 10:21:00

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