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CY7C1049BV33-12VC	文件：165.03 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 15 ns • Low active power — 504 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (660 文件：165.03 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1049BV33-15VI	文件：165.03 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 15 ns • Low active power — 504 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (660 文件：165.03 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049BV33-15ZC	文件：165.03 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 15 ns • Low active power — 504 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (660 文件：165.03 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049BV33-15ZI	文件：165.03 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 15 ns • Low active power — 504 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (660 文件：165.03 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049BV33-17VC	文件：165.03 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 15 ns • Low active power — 504 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (660 文件：165.03 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049BV33-17VI	文件：165.03 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 15 ns • Low active power — 504 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (660 文件：165.03 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049BV33-17ZC	文件：165.03 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 15 ns • Low active power — 504 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (660 文件：165.03 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

详细参数

型号：
CY7C1049BV33-1
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Cypress Semiconductor
功能描述：
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 12ns 44-Pin TSOP-II

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