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CY7C1049B	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B	文件：293.91 Kbytes Page：9 Pages	512K x 8 Static RAM 文件：293.91 Kbytes 页数：9 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-12VC	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-15VC	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-15VI	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-17VC	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-17VI	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-20VC	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-20VI	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-25VC	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

详细参数

型号：
CY7C1049B
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 15NS 36SOJ
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
96
系列：
- 格式 -
存储器：
闪存
存储器类型：
FLASH
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
70ns
接口：
并联
电源电压：
2.65 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商设备封装：
48-TSOP
包装：
托盘

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