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CY7C1049B-15VXC	文件：293.91 Kbytes Page：9 Pages	512K x 8 Static RAM 文件：293.91 Kbytes 页数：9 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-15VXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-15VXI	文件：293.91 Kbytes Page：9 Pages	512K x 8 Static RAM 文件：293.91 Kbytes 页数：9 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-15VC	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-15VC	文件：293.91 Kbytes Page：9 Pages	512K x 8 Static RAM 文件：293.91 Kbytes 页数：9 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049B-15VI	文件：132.41 Kbytes Page：10 Pages	512K x 8 Static RAM Functional Description[1] The CY7C1049B is a high-performance CMOS static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Features • High speed — tAA = 12 ns • Low active power — 1320 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 文件：132.41 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C1049B-15VXC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
36-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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