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CY7C1041GN30-10ZSXI中文资料符合工业标准且性能可靠的高密度 4 Mbit 并行快速 SRAM数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY7C1041GN30-10ZSXI

参数属性

CY7C1041GN30-10ZSXI 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

符合工业标准且性能可靠的高密度 4 Mbit 并行快速 SRAM

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :CY7C1041GN30-10ZSXI

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 密度 (Kb)

    :4096

  • 频率 (MHz)

    :无

  • 最高工作温度 (°C)

    :85

  • Max. Operating VCCQ (V)

    :3.60

  • 最高工作电压 (V)

    :3.60

  • 最低工作温度 (°C)

    :-40

  • Min. Operating VCCQ (V)

    :2.20

  • 最低工作电压 (V)

    :2.20

  • 组织 (X x Y)

    :256K x 16

  • Part Family

    :快速异步 SRAM

  • 速率 (ns)

    :10

  • Tape & Reel

    :否

  • 温度分类

    :工业

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