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CY7C1041BV33-25VC	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041BV33-25VI	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041BV33-25ZC	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041BV33-25ZI	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

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