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CY7C1041BV33-15VC	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041BV33-15VI	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041BV33-15ZC	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041BV33-15ZI	文件：187.9 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 612 mW (max.) • Low CMOS standby power (Commercial L version) — 1.8 mW (max.) • 2.0V Data Retention (600 µW at 2.0V retention) • Au 文件：187.9 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

详细参数

型号：
CY7C1041BV33-15VC
制造商：
Cypress Semiconductor
功能描述：
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 15ns 44-Pin SOJ
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
4MB(256K X 16)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk

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