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CY7C1041B-15VC	文件：360.34 Kbytes Page：10 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041B is a high-performance CMOS static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 1540 mW (max.) • Low CMOS standby power (L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 µW at 2.0V retention) • Aut 文件：360.34 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041B-15VI	文件：360.34 Kbytes Page：10 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041B is a high-performance CMOS static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 1540 mW (max.) • Low CMOS standby power (L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 µW at 2.0V retention) • Aut 文件：360.34 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041B-15ZC	文件：360.34 Kbytes Page：10 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041B is a high-performance CMOS static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 1540 mW (max.) • Low CMOS standby power (L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 µW at 2.0V retention) • Aut 文件：360.34 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041B-15ZI	文件：360.34 Kbytes Page：10 Pages	256K x 16 Static RAM The CY7C1041B is a high-performance CMOS static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. Features • High speed —tAA= 12 ns • Low active power — 1540 mW (max.) • Low CMOS standby power (L version) — 2.75 mW (max.) • 2.0V Data Retention (400 µW at 2.0V retention) • Aut 文件：360.34 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1041B-15VC	文件：253.2 Kbytes Page：11 Pages	256K x 16 Static RAM 文件：253.2 Kbytes 页数：11 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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