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CY7C1021BN-15VXE	文件：474.86 Kbytes Page：10 Pages	1-Mbit (64K x 16) Static RAM Functional Description[1] The CY7C1021BN/CY7C10211BN is a high-performance CMOS static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. This device has an automatic power-down feature that significantly reduces power consumption when deselected. Features • Temperature Ranges — Commercial: 0°C to 7 文件：474.86 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1021BN-15VXE	文件：461.95 Kbytes Page：10 Pages	1-Mbit (64K x 16) Static RAM 文件：461.95 Kbytes 页数：10 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1021BN-15VXE	文件：503.49 Kbytes Page：14 Pages	1-Mbit (64 K 횞 16) Static RAM 文件：503.49 Kbytes 页数：14 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1021BN-15VXE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1021BN-15VXET	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C1021BN-15VXE
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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更多CY7C1021BN-15VXE供应商更新时间2025-12-24 10:20:00

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