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CY7C1021BN-15VXCT中文资料IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY7C1021BN-15VXCT

参数属性

CY7C1021BN-15VXCT 封装/外壳为44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

封装外壳

44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :CY7C1021BN-15VXCT

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 存储器格式

    :SRAM

  • 技术

    :SRAM - 异步

  • 存储容量

    :1Mb (64K x 16)

  • 写周期时间 - 字,页

    :15ns

  • 访问时间

    :15ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度

    :0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :44-BSOJ(0.400\,10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :44-SOJ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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