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CY7C1012DV33-10BGXIT中文资料Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Fast SRAMs -数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY7C1012DV33-10BGXIT

参数属性

CY7C1012DV33-10BGXIT 封装/外壳为119-BGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 12MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Fast SRAMs -

封装外壳

119-BGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-14 15:01:00

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CY7C1012DV33-10BGXIT价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :CY7C1012DV33-10BGXIT

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Density (Kb)

    :12288

  • Frequency (MHz)

    :N/A

  • Max. Operating Temp. (°C)

    :85

  • Max. Operating VCCQ (V)

    :3.60

  • Max. Operating Voltage (V)

    :3.60

  • Min. Operating Temp. (°C)

    :-40

  • Min. Operating VCCQ (V)

    :3.00

  • Min. Operating Voltage (V)

    :3.00

  • Organization (X x Y)

    :512K x 24

  • Speed (ns)

    :10

  • Tape & Reel

    :Y

  • Temp. Classification

    :Industrial

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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