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CY62256NLL-55ZXE中文资料PDF规格书
厂商型号 |
CY62256NLL-55ZXE |
参数属性 | CY62256NLL-55ZXE 封装/外壳为28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
功能描述 | 256K (32K x 8) Static RAM |
文件大小 |
712 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | CypressSemiconductor |
企业简称 |
Cypress【赛普拉斯】 |
中文名称 | 赛普拉斯半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-17 18:00:00 |
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CY62256NLL-55ZXE规格书详情
Features
• Temperature Ranges
— Commercial: 0°C to 70°C
— Industrial: –40°C to 85°C
— Automotive-A: –40°C to 85°C
— Automotive-E: –40°C to 125°C
• High speed: 55 ns
• Voltage range: 4.5V–5.5V operation
• Low active power
— 275 mW (max.)
• Low standby power (LL version)
— 82.5 µW (max.)
• Easy memory expansion with CE and OE features
• TTL-compatible inputs and outputs
• Automatic power-down when deselected
• CMOS for optimum speed/power
• Available in pb-free and non Pb-free 28-lead (600-mil) PDIP, 28-lead (300-mil) narrow SOIC, 28-lead TSOP-I
and 28-lead Reverse TSOP-I packages
产品属性
- 产品编号:
CY62256NLL-55ZXE
- 制造商:
Cypress Semiconductor Corp
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
MoBL®
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
55ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽)
- 供应商器件封装:
28-TSOP I
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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