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CY62256NLL-55SNXET中文资料Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Micropower (MoBL®) SRAMs -数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY62256NLL-55SNXET

参数属性

CY62256NLL-55SNXET 封装/外壳为28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

功能描述

Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Micropower (MoBL®) SRAMs -

封装外壳

28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :CY62256NLL-55SNXET

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Automotive Qualified

    :Y

  • Density (Kb)

    :256

  • Frequency (MHz)

    :N/A

  • Max. Operating Temp. (°C)

    :125

  • Max. Operating VCCQ (V)

    :5.50

  • Max. Operating Voltage (V)

    :5.50

  • Min. Operating Temp. (°C)

    :-40

  • Min. Operating VCCQ (V)

    :4.50

  • Min. Operating Voltage (V)

    :4.50

  • Organization (X x Y)

    :32K x 8

  • Speed (ns)

    :55

  • Tape & Reel

    :Y

  • Temp. Classification

    :Automotive(E)

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