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CY62167EV18集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
CY62167EV18 |
参数属性 | CY62167EV18 封装/外壳为48-VFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
功能描述 | 16-Mbit (1M x 16) Static RAM |
封装外壳 | 48-VFBGA |
文件大小 |
530.73 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | CypressSemiconductor |
企业简称 |
CYPRESS【赛普拉斯】 |
中文名称 | 赛普拉斯半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 11:38:00 |
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Functional Description
The CY62167EV18 is a high performance CMOS static RAM organized as 1M words by 16 bits. This device features advanced circuit design to provide ultra low active current. This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications such as cellular telephones. The device also has an automatic power down feature that reduces power consumption by 99 percent when addresses are not toggling.
特性 Features
■ Very high speed: 55 ns
■ Wide voltage range: 1.65V to 2.25V
■ Ultra low standby power
❐ Typical standby current: 1.5 μA
❐ Maximum standby current: 12 μA
■ Ultra low active power
❐ Typical active current: 2.2 mA at f = 1 MHz
■ Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE features
■ Automatic power down when deselected
■ CMOS for optimum speed and power
■ Offered in Pb-free 48-ball VFBGA packages
产品属性
- 产品编号:
CY62167EV18LL-55BVI
- 制造商:
Cypress Semiconductor Corp
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
MoBL®
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
16Mb(1M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
55ns
- 电压 - 供电:
1.65V ~ 2.25V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-VFBGA
- 供应商器件封装:
48-VFBGA(6x8)
- 描述:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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