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CY62128EV30LL-45SXI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

CY62128EV30LL-45SXI

参数属性

CY62128EV30LL-45SXI 封装/外壳为32-SOIC(0.455",11.30mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC

功能描述

1 Mbit (128K x 8) Static RAM
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC

封装外壳

32-SOIC(0.455",11.30mm 宽)

文件大小

947.64 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

Cypress Cypress Semiconductor

中文名称

赛普拉斯 赛普拉斯半导体公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 13:00:00

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CY62128EV30LL-45SXI规格书详情

CY62128EV30LL-45SXI属于集成电路(IC)的存储器。由赛普拉斯半导体公司制造生产的CY62128EV30LL-45SXI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

Functional Description

The CY62128EV30[1] is a high performance CMOS static RAM module organized as 128K words by 8 bits. This device features advanced circuit design to provide ultra low active current. This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications such as cellular telephones. The device also has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when addresses are not toggling.

特性 Features

■ Very High Speed: 45 ns

■ Temperature Ranges:

❐ Industrial: –40°C to +85°C

❐ Automotive-A: –40°C to +85°C

❐ Automotive-E: –40°C to +125°C

■ Wide Voltage Range: 2.2 V to 3.6 V

■ Pin Compatible with CY62128DV30

■ Ultra Low Standby Power

❐ Typical standby current: 1 μA

❐ Maximum standby current: 4 μA

■ Ultra Low Active Power

❐ Typical active current: 1.3 mA @ f = 1 MHz

■ Easy Memory Expansion with CE1, CE2 and OE Features

■ Automatic Power Down when Deselected

■ CMOS for Optimum Speed and Power

■ Offered in Pb-free 32-pin SOIC, 32-pin TSOP I, and 32-pin STSOP Packages

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CY62128EV30LL-45SXI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    MoBL®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    45ns

  • 电压 - 供电:

    2.2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-SOIC(0.455",11.30mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    32-SOIC

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC

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