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CY15B256J-SXE中文资料F-RAM (Ferroelectric RAM)数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
CY15B256J-SXE |
| 参数属性 | CY15B256J-SXE 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC |
| 功能描述 | F-RAM (Ferroelectric RAM) |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
| 人工找货 | CY15B256J-SXE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
CY15B256J-SXE
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
F-RAM™
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
FRAM
- 技术：
FRAM（铁电体 RAM）
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
I²C
- 电压 - 供电：
2V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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