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CY15B104QN-20LPXC	文件：596.67 Kbytes Page：42 Pages	4-MbEXCELON™LPFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(SPI),512K×8,industrial Features •4-Mbferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof1000trillion(1015)read/writecycles -151-yeardataretention(See“Dataretentionandendurance”onpage27) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adv	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CY15B104QN-20LPXCT	文件：596.67 Kbytes Page：42 Pages	4-MbEXCELON™LPFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(SPI),512K×8,industrial Features •4-Mbferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof1000trillion(1015)read/writecycles -151-yeardataretention(See“Dataretentionandendurance”onpage27) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adv	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CY15B104QN-20LPXI	文件：596.67 Kbytes Page：42 Pages	4-MbEXCELON™LPFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(SPI),512K×8,industrial Features •4-Mbferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof1000trillion(1015)read/writecycles -151-yeardataretention(See“Dataretentionandendurance”onpage27) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adv	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CY15B104QN-20LPXIT	文件：596.67 Kbytes Page：42 Pages	4-MbEXCELON™LPFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(SPI),512K×8,industrial Features •4-Mbferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof1000trillion(1015)read/writecycles -151-yeardataretention(See“Dataretentionandendurance”onpage27) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adv	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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