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CY15B102N-ZS60XAT中文资料F-RAM (Ferroelectric RAM)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY15B102N-ZS60XAT

参数属性

CY15B102N-ZS60XAT 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

F-RAM (Ferroelectric RAM)

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    CY15B102N-ZS60XAT

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    90ns

  • 电压 - 供电:

    2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC FRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

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