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CY14E116L-ZS25XI中文资料nvsRAM(非易失性 SRAM)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CY14E116L-ZS25XI

参数属性

CY14E116L-ZS25XI 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

功能描述

nvsRAM(非易失性 SRAM)

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 13:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :CY14E116L-ZS25XI

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 密度 (Kb)

    :16384

  • 频率 (MHz)

    :无

  • 接口

    :Parallel

  • 最高工作温度 (°C)

    :85

  • Max. Operating VCCQ (V)

    :3.60

  • 最高工作电压 (V)

    :3.60

  • 最低工作温度 (°C)

    :-40

  • Min. Operating VCCQ (V)

    :2.70

  • 最低工作电压 (V)

    :2.70

  • 组织 (X x Y)

    :2Mb x 8

  • Part Family

    :并行 nvSRAM

  • 速率 (ns)

    :25

  • Tape & Reel

    :否

  • 温度分类

    :工业

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