CY14B104N-BA25XCT集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	CY14B104N-BA25XCT
参数属性	CY14B104N-BA25XCT 封装/外壳为48-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
功能描述	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
封装外壳	48-TFBGA
文件大小	797.79 Kbytes
页面数量	25 页
生产厂商	Cypress Cypress Semiconductor
中文名称	赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-14 23:00:00
人工找货	CY14B104N-BA25XCT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

CY14B104N-BA25XCT规格书详情

CY14B104N-BA25XCT属于集成电路（IC）的存储器。由赛普拉斯半导体公司制造生产的CY14B104N-BA25XCT存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
CY14B104N-BA25XCT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-FBGA（6x10）
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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