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CXT5551-2AF中文资料NPN Transistor数据手册FOSAN规格书
CXT5551-2AF规格书详情
描述 Description
晶体管类型: NPN
集电极电流(lc): 600mA
集射极击穿电压 160V
耗散功率(Pd): 500mW
技术参数
- 制造商编号
：CXT5551-2AF
- 生产厂家
：FOSAN
- 集电极电流(Ic)
：600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
：160V
- 耗散功率(Pd)
：500mW
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
：200mV
- 直流电流增益(hFE)
：100mA-300mA
- 特征频率(fT)
：100MHz
- 工作温度
：-55℃~+150℃
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRAL |
23+ |
SOT89 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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CENTRDL |
2025+ |
TO89-3 |
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SOT-89 |
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CENTRAL |
23+ |
SOT89 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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CENTRAL |
24+ |
SOT-89 |
8200 |
新进库存/原装 |
询价 |
