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RMQSGA3636DGBA	文件：359.37 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency) Description TheRMQSGA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSGA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSKA3636DGBA	文件：399.71 Kbytes Page：31 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)withODT Features PowerSupply 1.8Vforcore(VDD),1.4VtoVDDforI/O(VDDQ) Clock Fastclockcycletimeforhighbandwidth Twoinputclocks(Kand/K)forpreciseDDRtimingatclockrisingedgesonly Twooutputechoclocks(CQand/CQ)simplifydatacaptureinhigh-speedsystems	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
TPESD3636P	文件：1.26449 Mbytes Page：5 Pages	4=ChannelESDProtectionDiodeforUSBType=CandHDMI2.0 Features Ultralowcapacitance:0.25pFtypical(I/Oto1/0) Ultralowleakage:nAlevel BreakdownVoltage:5.5V(Minimum) Lowclampingvoitage Complieswithfollowingstandards: —\|IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+20kV Contactdischarge:+15kV —IEC61000-4-4(EFT)80A(	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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RMQSGA3636DGBA

文件：359.37 Kbytes

Page：30 Pages

36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)

Description TheRMQSGA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSGA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

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36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)withODT

Features PowerSupply 1.8Vforcore(VDD),1.4VtoVDDforI/O(VDDQ) Clock Fastclockcycletimeforhighbandwidth Twoinputclocks(Kand/K)forpreciseDDRtimingatclockrisingedgesonly Twooutputechoclocks(CQand/CQ)simplifydatacaptureinhigh-speedsystems

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TPESD3636P

文件：1.26449 Mbytes

Page：5 Pages

4=ChannelESDProtectionDiodeforUSBType=CandHDMI2.0

Features Ultralowcapacitance:0.25pFtypical(I/Oto1/0) Ultralowleakage:nAlevel BreakdownVoltage:5.5V(Minimum) Lowclampingvoitage Complieswithfollowingstandards: —|IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+20kV Contactdischarge:+15kV —IEC61000-4-4(EFT)80A(

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