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AIC1185	文件：241.88 Kbytes Page：13 Pages	3AUltraLowDropoutLinearRegulator	AIC AIC	AIC
APE1185	文件：569.18 Kbytes Page：10 Pages	3AUltraLowDropoutPositiveAdjustableorFixed-modeRegulator	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AS1185	文件：487.99 Kbytes Page：7 Pages	LowDropoutRegulator	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS1185F	文件：487.99 Kbytes Page：7 Pages	LowDropoutRegulator	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS1185F/IT	文件：487.99 Kbytes Page：7 Pages	LowDropoutRegulator	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS1185F/MIL	文件：487.99 Kbytes Page：7 Pages	LowDropoutRegulator	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS1185F/SPACE	文件：487.99 Kbytes Page：7 Pages	LowDropoutRegulator	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS1185F/XT	文件：487.99 Kbytes Page：7 Pages	LowDropoutRegulator	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
B1185	文件：64.53 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
B1185	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CEB1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED1185	文件：661.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,3.4A,RDS(ON)=2.9W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED1185	文件：651.5 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEF1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP1185	文件：626.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU1185	文件：661.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,3.4A,RDS(ON)=2.9W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU1185	文件：651.5 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CLV1185A	文件：83.95 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CLV1185A	文件：69.32 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CXD1185CR供应商更新时间2024-5-21 16:30:00

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