CW1012数据手册Cellwise中文资料规格书

描述 Description

CW1012是一款集成 MOSFET单节保护IC，支持过充、过放、过流以及过温保护。

特性 Features

• 过充电检测功能

• 阈值范围4.180V~4.550V，±20mV精度
• 过放电检测功能

• 阈值范围2.100V~3.000V，±40mV精度
• 内置低侧45mΩ充放电MOS
• 高精度充放电过电流检测
• 过电流保护

• 放电过流检测1阈值范围，

• 0.2~0.4A，精度±25%

• 0.4~1.0A，精度±15%
• 放电过流检测2阈值范围，

• 0.4~2.0A，精度±15%
• 负载短路检测阈值范围，

• 0.8~4.0A，精度±15%
• 充电过流检测阈值范围，

• -2.0~-0.4A，精度±15%

• -0.4~-0.2A，精度±25%
• 内置所有保护功能延时
• 低功耗设计

• 工作状态 2μA (25°C)

• 低功耗状态 50nA (25°C)
• 封装形式：DFN6 1.5mmx2mm