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CTLT8099-M322S中文资料Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
CTLT8099-M322S |
| 参数属性 | CTLT8099-M322S 封装/外壳为3-TDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 0.5A TLM322 |
| 功能描述 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | 3-TDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:20:00 |
| 人工找货 | CTLT8099-M322S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CTLT8099-M322S规格书详情
简介
CTLT8099-M322S属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的CTLT8099-M322S晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：CTLT8099-M322S
- 生产厂家
：Central
- Case
：TLM322S (UDFN2020-3)
- Configuration/ Description
：NPN General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：NPN
- IC MAX
：500mA
- PD MAX
：1.45W
- VCEO MAX
：80V
- hFE MIN
：100
- hFE MAX
：300
- @VCE
：5V
- VCE(SAT) MAX
：400mV
- @IC
：100mA
- @IB
：5mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：6pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：150MHz
- NF MAX
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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