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CTLT8099-M322S分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

CTLT8099-M322S
厂商型号

CTLT8099-M322S

参数属性

CTLT8099-M322S 封装/外壳为3-TDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 0.5A TLM322

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION:
TRANS NPN 80V 0.5A TLM322

封装外壳

3-TDFN 裸露焊盘

文件大小

481.57 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 20:00:00

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CTLT8099-M322S规格书详情

CTLT8099-M322S属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的CTLT8099-M322S晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

80V, 500mA NPN Transistor in the TLM322S package

Central Semiconductor’s CTLT8099-M322S is an energy efficient NPN transistor manufactured by the epitaxial planar process, packaged in a epoxy molded low profile TLM322S case. This device is ideal for general purpose switching and amplification needs in circuits requiring a small package footprint and highly efficient energy performance.

Features:

• Low VCE(SAT)

• High power density

• Thermally efficient package

Applications:

• Load switching

• Display drive

• Power management

• Gate drive

Benefits:

​​​​​​​• Low profile TLM322S package

• Space saving

• Energy efficiency

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CTLT8099-M322S TR

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-TDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    TLM322

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 0.5A TLM322

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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