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CTLM1034-M832D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

CTLM1034-M832D
厂商型号

CTLM1034-M832D

参数属性

CTLM1034-M832D 封装/外壳为8-TDFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 25V 1A TLM832D

功能描述

MULTI DISCRETE MODULE ??SURFACE MOUNT LOW VCE (SAT) SILICON NPN TRANSISTOR AND LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
TRANS NPN 25V 1A TLM832D

封装外壳

8-TDFN 裸露焊盘

文件大小

241.89 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
CENTRAL
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:03:00

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CTLM1034-M832D规格书详情

CTLM1034-M832D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的CTLM1034-M832D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM1034-832D consists of a Low VCE(SAT) NPN Transistor and Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designed for applications where small size, operational efficiency, and low energy consumption are the prime requirements. Due to its leadless package design this device is capable of dissipating up to 4 times the power of similar devices in comparable sized surface mount packages.

FEATURES

• Dual Chip Device

• High Current (1.0A) Transistor and Schottky Rectifier

• Low VCE(SAT) NPN Transistor (450mV @ IC=1.0A MAX)

• Low VF Schottky Rectifier (550mV @ 1.0A MAX)

• High Power to Footprint Ratio of 275mW per sq mm

(Package Power Dissipation / Package Surface Area)

• Small TLM 3x2mm Leadless Surface Mount Package

• Complementary Device: CTLM1074-M832D

APPLICATIONS

• Switching Circuits

• DC / DC Converters

• LCD Backlighting

• Battery powered / Portable Equipment

applications including Cell Phones,

Digital Cameras, Pagers, PDAs,

Notebook PCs, etc.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CTLM1034-M832D TR

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN + 二极管(隔离式)

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    450mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-TDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    TLM832D

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 1A TLM832D

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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